1. 嚴格環境控制要求
鈣鈦礦材料對溫濕度極為敏感。測試必須在恒溫（建議25±1℃）、恒濕（RH<30%）的環境艙或手套箱內進行，避免水氧滲透導致器件性能漂移或失效。非受控環境下的測試數據無效。
2. 光強校準與光譜匹配
必須使用AAA級太陽模擬器，確保光譜匹配度（AM1.5G）誤差<±5%，空間不均勻性<±2%。鈣鈦礦對光譜響應獨特，需定期用標準電池校準光強計，避免因光譜失配導致效率測量偏差。
3. 超短脈沖與掃描速度優化
鈣鈦礦在持續光照下易發生離子遷移退化。IV測試應采用毫秒級脈沖寬度（建議<50ms）和高速掃描（單次掃描<10ms），配合多通道延遲觸發技術，大限度減少光致衰減對測試結果的影響。
4. 接觸壓力與無損探針技術
鈣鈦礦薄膜脆弱易損。測試時需采用微牛頓級接觸壓力探針（如碳納米管探針或柔性電極），避免機械損傷。同時配置自動對位系統，確保探針精準接觸電極而不劃傷活性層。
5. 遲滯效應分析與預處理
鈣鈦礦存在顯著IV遲滯現象。測試流程需包含預光照穩定化步驟（如白光預處理60秒），并記錄雙向掃描曲線（正向/反向電壓掃描）。報告中必須注明掃描方向和預處理條件，否則數據不可比。
6. 動態范圍與低噪聲設計
鈣鈦礦組件電流密度較低（約20mA/cm²）。測試儀需具備pA級電流分辨率和μV級電壓精度，電學噪聲控制在nA以下。四線制開爾文連接，消除導線電阻影響，確保弱光性能測試準確性。
