本科生微電子器件及材料實驗?zāi)康?/strong>
通過實驗動手操作，加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解，掌握半導(dǎo)體材料和 不同器件性能的表征方法及基本實驗技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。
本科生微電子器件及材料實驗?zāi)夸?/strong>
實驗一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二：四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗實驗
實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六：太陽能電池的特性表征實驗
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優(yōu)勢
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設(shè)備簡單易用，專業(yè)權(quán)威，方便學(xué)生動手操作
核心設(shè)備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標要求
測試軟件功能齊全，平臺化設(shè)計，有專人維護支持，與專業(yè)測試軟件使用相 同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺為起點，可逐步升級，滿足日益增加的實驗室測試需求
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能
實驗名稱 | 測試參數(shù) |
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性的IV特性測試實驗 | l 輸出特性曲線 l 轉(zhuǎn)移特性曲線 l 跨導(dǎo)gm l 擊穿電壓BVDS l |
四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
| l 四探針法電阻率ρ l 材料阻值R |
MOS電容的CV特性測試實驗（低頻 + 高頻） | l CV特性曲線 |
半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗 | l 霍爾電壓VH l 霍爾電阻率ρ l 霍爾系數(shù)RH l 載流子濃度n l 霍爾遷移率u |
激光二極管LD的LIV特性測試
| l LIV特性曲線 l 閾值電流Ith l 閾值電流對應(yīng)電壓值Vth l 拐點Kink l 線性電阻Rs |
太陽能電池的特性表征
| l 開路電壓Voc l 短路電流Isc l 功率大值Pmax l 填充因子FF l 轉(zhuǎn)換效率η l 串聯(lián)電阻Rs l 旁路電阻Rsh |
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元（源表， SMU）
普賽斯國產(chǎn)源表 四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足先進器件和材料測試需求
交流測試使用LCR表
探針臺：4寸或6寸手動探針臺
有關(guān)源表之微電子器件及材料實驗測試平臺搭建的更多信息請咨詢一八一四零六六三四七六
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